华羿微代理商 HYG080N10LS1C2 单N沟道增强型MOSFET
发布日期:2024-12-21 03:57 点击次数:190
特征:
100V/65A
RDS(ON)= 6.9 mΩ(typ.) @ VGS= 10V
RDS(ON)= 9.4mΩ(typ.) @ VGS= 4.5V
100%雪崩测试
可靠且坚固的
无铅和绿色设备可用(符合RoHS标准)
应用:
高频负载点同步降压转换器
电源工具
应用组网直流-直流电源系统
详情请咨询我司业务15986786916
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